金融界 2025 年 4 月 23 日消息，国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“埋藏式沟槽电容器”的专利，公开号 CN119856586A，申请日期为 2023 年 9 月电子仪器 。
专利摘要显示，本发明提供一种微电子装置(100)，其包含在所述微电子装置(100)的电子组件(174)下方的埋藏式沟槽电容器(170)电子仪器 。在一个实施例中，所述埋藏式沟槽电容器(170)可形成在通过埋藏式沟槽电容器内衬电介质(124)分离的氧化硅覆盖的 p 型埋藏式沟槽电容器多晶硅区(126)与埋藏式沟槽电容器深 n 型区(108)之间。在第二实施例中，所述埋藏式沟槽电容器(170)可由通过埋藏式沟槽电容器内衬电介质(124)分离的埋藏式沟槽电容器多晶硅区(126)及 p 型硅外延区(106)形成。经由深沟槽衬底接点(134)穿过衬底(102)制成所述深沟槽电容器(170)的一个端子。经由井接点制成所述深沟槽电容器(170)的第二端子，所述井接点在一个实施例中穿过深井区且在第二实施例中穿过多晶硅层连接到所述电容器(170)。
来源：金融界